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iphone6可以加内存吗

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  苹果公司(Apple Inc. )是美国的一家高科技公司。由史蒂夫·乔布斯、斯蒂夫·沃兹尼亚克和罗·韦恩(Ron Wayne)等三人于1976年4月1日创立,下面是学习啦小编带来的关于iphone6可以加内存吗的内容,欢迎阅读!

  iphone6可以加内存吗:

  不能,iphone在被设计时就已经把所有东西弄成一体的,所有东西都是相连的。

  iPhone手机的所有配件都是一体安装的,无法改装。可以通过外接iPhone专用优盘实现扩容的效果,比如“觅果”这款产品。

  提示:可以通过售后维修进行修理,价格较高,平时多清理手机缓存和没必要的软件。

  iPhone 6是苹果公司(Apple)在2014年9月9日推出的一款手机,已于2014年9月19日正式上市。

  iPhone 6采用4.7英寸屏幕,分辨率为1334*750像素,内置64位构架的苹果A8处理器,性能提升非常明显;同时还搭配全新的M8协处理器,专为健康应用所设计;采用后置800万像素镜头,前置120万像素 鞠昀摄影FaceTime HD 高清摄像头;并且加入Touch ID支持指纹识别,首次新增NFC功能;也是一款三网通手机,4G LTE连接速度可达150Mbps,支持多达20个LTE频段。

  设计师卡萨巴-纳吉(Csaba Nagy),而在他眼中的iPhone6应该朝着透明的方向靠拢。因而,他将该设备打造成了一款极薄、透明,且内置有可互动玻璃外观的“神机”。据悉,设计图中的iPhone6拥有一个内置有LED灯的HOME键,只有在用户按下时才会亮起。而且,该手机还具备有全息投影功能,可以将手机画面投射到一块相对更宽的背景中。

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  DDR时代
DDRSDRAM(Double Data Rate SDRAM)简称DDR,也就是“双倍速率SDRAM”的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本,DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据,这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号,因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同,仅在时钟上升缘传输。

  DDR内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案,其目的是迅速建立起牢固的市场空间,继而一步步在频率上高歌猛进,最终弥补内存带宽上的不足。第一代DDR200 规范并没有得到普及,第二代PC266 DDR SRAM(133MHz时钟×2倍数据传输=266MHz带宽)是由PC133SDRAM内存所衍生出的,它将DDR 内存带向第一个高潮,目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存,其后来的DDR333内存也属于一种过度,而DDR400内存成为目前的主流平台选配,双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准,随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。

  DDR2时代

  随着CPU 性能不断提高,我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认,紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心,因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准,加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持,所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。

  DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽,而且其接口将运行于1.8V 电压上,从而进一步降低发热量,以便提高频率。此外,DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令,提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看,针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺,内存颗粒的电压为1.8V,容量密度为512MB。

  内存技术在2005年将会毫无悬念,SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及。QBM与RDRAM内存也难以挽回颓势,因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。

  PC-100的“接班人”除了PC一133以外,VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一员。VCM即“虚拟通道存储器”,这也是目前大多数较新的芯片组支持的一种内存标准,VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成,它集成了“通道缓存”,由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时,VCM还维持着对传统SDRAM的高度兼容性,所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据,都可先交于VCM进行处理,而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据,所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片组很多,包括:Intel的815E、VIA的694X等。

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